O FQD3P50TF é um transistor de efeito de campo (FET) de potência da família N-Channel. Ele é projetado para operar em alta tensão (500V) e corrente (3A) em aplicações de comutação, como em fontes de alimentação chaveadas, inversores e outros circuitos de alta potência.
O FQD3P50TF é um transistor SMD, o que significa que é montado diretamente na superfície da placa de circuito impresso (PCB) sem necessidade de furos de montagem.
Dados Técnicos:
Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V Corrente de drenagem contínua: 2.1 A Fonte de drenagem na resistência: 4.9 Ohms Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V Tensão de limite porta e fonte: 5 V Carga na porta: 23 nC Temperatura operacional mínima: - 55 C Temperatura operacional máxima: + 150 C Dissipação de potência: 2.5 W
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 "2SK1102 - Transistor Mosfet, NPN, 500V/10A (TO-220) Isolado")
 "IRF510 - Transistor Mosfet, NPN, 100V/5,6A (TO-220)")
 "2SD1047 - Transistor NPN, 140V/12A (TO-3P)")
 "2SK1288 - Transistor Mosfet, NPN, 100V/15A (TO-220) Isolado")
 "SMD UC3844-BD - Circuito Integrado")
 "2N4393 - Transistor NPN, -40V/10mA (TO-18)")
 "2SC1567 - Transistor ,NPN, 100V/0,5 (TO-126)")
 "IRF2807 - Transistor Mosfet, NPN, 75V/82A (TO-220)")
 "2SK900 - Transistor Mosfet, NPN, 250V/12A (TO-220)")
 "2SK4100 - Transistor Mosfet, NPN, 650V/6A (TO-220) Isolado")
