IPB025N10N3G - Transistor SMD NPN, 100V/180A (TO-263-7) - Infineon

 IPB025N10N3G - Transistor SMD NPN, 100V/180A (TO-263-7) - Infineon

O IPB025N10N3G é um transistor MOSFET N-channel de alta potência, projetado para aplicações exigentes em circuitos eletrônicos de alta corrente e eficiência. Com encapsulamento TO-263, ele combina confiabilidade, desempenho superior e design compacto, ideal para sistemas de potência modernos.

Este modelo suporta uma corrente contínua de até 180A a 25°C, com baixa resistência RDS(on) de apenas 2.5 mΩ, garantindo alta eficiência energética e dissipação térmica otimizada. Sua tensão de ruptura dreno-fonte é de 100V, e ele é capaz de operar em temperaturas extremas, de -55°C a 175°C, oferecendo versatilidade em diferentes condições.

Suporta até 180A, ideal para aplicações industriais, 2.5 mΩ, reduzindo perdas de energia e otimizando a eficiência. Funciona de -55°C a 175°C, adequado para ambientes adversos dissipa até 300W a 25°C, garantindo maior durabilidade.

Especificações:

Tipo: N-channel
RDS(on), máximo: 2.5 mΩ
Corrente de dreno contínua (ID): TC = 25°C: 180A , TC = 100°C: 167A
Dissipação de potência (Ptot): 300W (a 25°C)
Tensão de ruptura (V(BR)DSS): 100V
Temperatura de operação: -55°C a 175°C
Energia de avalanche (EAS): 1000 mJ (ID = 100A, RGS = 25Ω)