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Transistor Mosfet NPN IRFBG30 de 1000V e 3,1A (TO-220)
O Transistor IRFBG30 é um MOSFET de canal NPN com encapsulamento T0-220 não isolado.
Esse modelo suporta 1000V e uma carga de até 3,1A em 25 °C sua máxima potencia de dissipação é de 125 Watts.
Para utilizar 100% da potência deste mosfet é necessário mante-lo em uma temperatura de 25ºC, para isso você precisa resfria-lo utilizando dissipador de calor e se necessário um ventilador
Características:
Modelo: Mosfet
Canal: NPN
Tensão: 1000V
Corrente: 3,1A (25ºC)
Encapsulamento: TO-220 Não Isolado
 "IRF740 - Transistor Mosfet, NPN, 400V/10A (TO-220)")
 "IRF510 - Transistor Mosfet, NPN, 100V/5,6A (TO-220)")
 "IRFP 4568 PBF - TRANSISTOR FET (TO-247)")
 "IRFP9240 - Transistor Mosfet, PNP, -200V/-12A (TO-247)")
 "IRFP90N20-DPBF - Transistor Mosfet, NPN, 200V/94A (TO-247)")
 "IRFZ34N - Transistor Mosfet, NPN, 55V/26A (TO-220)")