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Transistor Mosfet NPN IRFBG30 de 1000V e 3,1A (TO-220)
O Transistor IRFBG30 é um MOSFET de canal NPN com encapsulamento T0-220 não isolado.
Esse modelo suporta 1000V e uma carga de até 3,1A em 25 °C sua máxima potencia de dissipação é de 125 Watts.
Para utilizar 100% da potência deste mosfet é necessário mante-lo em uma temperatura de 25ºC, para isso você precisa resfria-lo utilizando dissipador de calor e se necessário um ventilador
Características:
Modelo: Mosfet
Canal: NPN
Tensão: 1000V
Corrente: 3,1A (25ºC)
Encapsulamento: TO-220 Não Isolado