SMD BTS 723 GW - Transistor Power Fet 2,9A 58V Canal N (SOIC-14)

Transistor Power FET de canal N integrado em encapsulamento SOIC-14, com capacidade de condução de até 2,9A e tensão máxima de operação de 58V. Desenvolvido para aplicações de chaveamento em alta e baixa frequência.

Aplicação:
Utilizado em sistemas de controle de carga, drivers automotivos, circuitos de proteção eletrônica e gerenciamento de energia em módulos embarcados e dispositivos industriais.

Vantagem ou Diferencial:
O BTS 723 GW possui proteção integrada contra sobrecorrente, sobretensão e temperatura, além de diagnóstico por falha, facilitando a implementação de sistemas inteligentes e seguros.

ESPECIFICAÇÕES:

Encapsulamento: SOIC-14
Canal: N
Corrente Máxima: 2,9A
Tensão Máxima: 58V
RDS(on): 120 mΩ (típico)
Tipo de Controle: Lógico
Proteções: Sobretemperatura, sobrecorrente, curto à carga
Interface: Diagnóstico de falha via pino de status
Temperatura de Operação: -40°C a 150°C
Tecnologia: Smart Power (High-Side Switch)
Montagem: SMD